本報記者 李勇

    薄膜沉積設備、光刻設備與刻蝕設備作為晶圓制造三大核心設備，決定著芯片制造工藝的先進程度。作為打破薄膜沉積設備國際壟斷的國內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應用集成電路PECVD、SACVD設備廠商和國內(nèi)領先的ALD設備廠商，拓荊科技將于2022年4月8日網(wǎng)上、網(wǎng)下申購，網(wǎng)下申購代碼“688072”，網(wǎng)上申購代碼“787072”，發(fā)行價格71.88元/股。

    拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術服務。公司聚焦于半導體薄膜沉積設備的研發(fā)和生產(chǎn)，主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產(chǎn)品系列，廣泛應用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。公開披露信息顯示，公司下游客戶包含中芯國際、華虹集團、長江存儲、長鑫存儲、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國內(nèi)主流晶圓廠商。

    作為高新技術企業(yè)，拓荊科技立足于自主創(chuàng)新，持續(xù)研發(fā)投入，在半導體薄膜沉積設備領域，拓積累了多項研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的核心技術。數(shù)據(jù)顯示，截至2022年3月8日，公司累計獲取授權專利174項，其中發(fā)明專利共計98項。同時，公司還先后承擔了“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設備研發(fā)與應用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”等多項國家重大專項/課題。

    據(jù)了解，拓荊科技此次發(fā)行所募資金將主要用于高端半導體設備擴產(chǎn)、先進半導體設備的技術研發(fā)與改進，以及ALD設備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化等項目。據(jù)公司董事長呂光泉網(wǎng)上路演時的介紹，拓荊科技目前已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設備，擁有多項核心技術，解決了半導體制造中納米級厚度薄膜均勻一致性、薄膜表面顆粒數(shù)量少、快速成膜、設備產(chǎn)能穩(wěn)定高速等關鍵難題，關鍵性能指標已達到國際先進水平。截至2021年9月10日，公司在手訂單15億元。

    拓荊科技總經(jīng)理田曉明在參與網(wǎng)上路演時表示，“相較于國外主流設備，拓荊設備的主要技術參數(shù)已達到國際設備水平。在國內(nèi)客戶售后服務更具有快速響應等優(yōu)勢，公司產(chǎn)品采取差異化戰(zhàn)略，更具有競爭力的成本優(yōu)勢。未來公司還將不斷豐富產(chǎn)品種類，提高研發(fā)創(chuàng)新力度，不斷提高市場占有率。”

（編輯 才山丹）