本報訊 （記者桂小筍）9月4日，在第十三屆半導體設備與核心部件及材料展上，中微半導體設備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微公司”）宣布重磅推出六款半導體設備新產(chǎn)品。這些設備覆蓋等離子體刻蝕（Etch）、原子層沉積（ALD）及外延（EPI）等關鍵工藝，不僅充分彰顯了中微公司在技術領域的硬核實力，更進一步鞏固了其在高端半導體設備市場的領先地位，為加速向高端設備平臺化公司轉型注入強勁新動能。

    開幕式上，中微公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士在主旨報告環(huán)節(jié)正式宣布六款新設備的發(fā)布，并深入闡述了新產(chǎn)品的先進性能與獨特優(yōu)勢。中微公司始終以市場與客戶需求為導向，持續(xù)加大研發(fā)力度。目前，公司在研項目涵蓋六大類、超二十款新設備，研發(fā)速度實現(xiàn)跨越式提升：過去一款新設備的開發(fā)周期通常為3到5年，如今僅需2年甚至更短時間就能推出極具市場競爭力的產(chǎn)品并順利落地。在刻蝕技術方面，中微公司此次發(fā)布的兩款新品分別在極高深寬比刻蝕及金屬刻蝕領域為客戶提供了領先和高效的解決方案。

    此外，公司產(chǎn)品引入了多項創(chuàng)新技術，自主研發(fā)的動態(tài)邊緣阻抗調(diào)節(jié)系統(tǒng)通過調(diào)節(jié)晶圓邊緣等離子體殼層調(diào)節(jié)邊緣深孔刻蝕的垂直性，大大提高了晶圓邊緣的合格率。

（編輯 郭之宸）