本報記者 丁蓉

    全球存儲芯片行業(yè)景氣度持續(xù)提升。從存儲芯片最主要的兩大類產(chǎn)品DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和NAND Flash（閃存存儲器）來看，根據(jù)TrendForce集邦咨詢預估數(shù)據(jù)，2024年第一季度DRAM價格環(huán)比增長20%，第二季度增長13%至18%，第三季度將增長8%至13%；NAND Flash第一季度價格環(huán)比增長23%至28%，第二季度增長15%至20%，第三季度將增長5%至10%。

    智帆海岸機構首席顧問、資深產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟觀察家梁振鵬向《證券日報》記者表示：“存儲芯片的漲價主要基于供需關系變化，漲價初期主要由于存儲大廠控制產(chǎn)能強勢拉動，目前已經(jīng)逐步轉為由市場需求帶動漲價。”

    存儲芯片今年以來漲價頻繁

    近日，三星已向包括戴爾科技、慧與在內(nèi)的主要客戶通報了漲價計劃，準備在第三季度將其主要存儲半導體、服務器DRAM和企業(yè)級NAND閃存報價提高15%至20%。今年以來，三星已經(jīng)多次調(diào)價。

    除了三星之外，另外兩大存儲巨頭SK海力士和美光公司也頻頻傳出漲價消息。SK海力士5月份稱，將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價。美光公司則在4月份向多數(shù)客戶提出調(diào)升產(chǎn)品報價。

    從全球市場競爭格局來看，根據(jù)集邦咨詢統(tǒng)計的2024年第一季度全球DRAM企業(yè)營收數(shù)據(jù)，三星、SK海力士和美光公司分別占全球存儲市場44%、31%、22%的份額。這三家廠商產(chǎn)品價格的上調(diào)，帶動了行業(yè)景氣度的整體提升。

    A股存儲賽道頭部企業(yè)兆易創(chuàng)新近日在投資者互動平臺表示：“公司DRAM、SLC NAND價格自底部已經(jīng)實現(xiàn)溫和上漲，其它產(chǎn)品線上公司會持續(xù)保持對市場情況的緊密跟蹤，考慮多方因素綜合判斷，隨著市場演變及時做調(diào)整。”

    佰維存儲近日在接受投資者調(diào)研時表示：“隨著存儲市場將在第三季度進入傳統(tǒng)旺季，受益于人工智能服務器需求迅猛增長等因素，海外存儲需求持續(xù)高漲，國內(nèi)需求有所回落，但整體來看行業(yè)景氣度有望延續(xù)。”

    上市公司加大研發(fā)創(chuàng)新

    “由于全球人工智能產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，HBM（高頻寬存儲器）正面臨供不應求的市場現(xiàn)狀，目前市場需求缺口較大。此外，DDR5也是漲幅較大品類。三星、SK海力士與美光公司都積極將DRAM的部分產(chǎn)能轉為生產(chǎn)HBM，導致DRAM供給減少及價格快速上揚。”梁振鵬表示。

    全球內(nèi)存接口芯片龍頭瀾起科技在內(nèi)存接口芯片領域潛心研發(fā)，先后推出了DDR2至DDR5系列內(nèi)存接口芯片。瀾起科技近日在接受機構調(diào)研時表示：“目前，DDR5世代已經(jīng)開啟子代迭代，公司研發(fā)進度領先，并持續(xù)鞏固在該領域的市場領先地位。”

    存儲模組龍頭江波龍自研存儲芯片業(yè)務逐步推進，公司具備了從存儲晶圓設計、生產(chǎn)端深入理解各類存儲晶圓特性的能力，形成從小容量存儲到大容量存儲的體系化競爭優(yōu)勢。對于HBM產(chǎn)品方面，江波龍表示，目前公司雖然無法生產(chǎn)HBM，但子公司元成蘇州具備HBM技術涉及的晶圓高堆疊封裝量產(chǎn)能力。

    作為“半導體行業(yè)風向標”，存儲芯片已于2023年下半年率先啟動上漲，并實現(xiàn)價格持續(xù)攀升。展望今年下半年，華福證券分析師楊鐘在研報中表示：“人工智能服務器領域需求持續(xù)走強，智能手機等仍有庫存回補需求，各品牌廠商與原始設計制造商或?qū)⒅貑湄洠瑫r工控與車用領域也有望逐步回暖，從而帶動存儲市場增長，存儲價格可能延續(xù)上漲格局。”

（編輯 李波 上官夢露）